Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RS3J-E3/9AT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3385366RS3J-E3/9AT attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3J-E3/9AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.69
10+
$0.589
100+
$0.44
500+
$0.345
1000+
$0.267
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS3J-E3/9AT
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RS3J-E3/9AT.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.3V @ 2.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    250ns
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Citi vārdi
    RS3J-E3/9ATGICT
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    30 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    34pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS3J-E3/9AT” saistītie produkti.
RS3JHE3_A/I

RS3JHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3J R7G

RS3J R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3J-13-F

RS3J-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3J-M3/9AT

RS3J-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3JHM6G

RS3JHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3J V7G

RS3J V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3GHE3_A/I

RS3GHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3GHE3_A/H

RS3GHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3J-E3/57T

RS3J-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3JHR7G

RS3JHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3J-13

RS3J-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3JHE3/9AT

RS3JHE3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3JHE3/57T

RS3JHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3GHR7G

RS3GHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3JB-13-F

RS3JB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3JHE3_A/H

RS3JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3J-M3/57T

RS3J-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3GHM6G

RS3GHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3J M6G

RS3J M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3JB-13

RS3JB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.