RS3GHE3_A/I

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3500+

$0.235

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RS3GHE3_A/I
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RS3GHE3_A/I.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.3V @ 2.5A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

400V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-214AB (SMC)
Ātrums

Fast Recovery = 200mA (Io)
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Reverss atkopšanas laiks (trr)

150ns
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

DO-214AB, SMC
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

30 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Standard
Detalizēts apraksts

Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

10µA @ 400V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

3A
Ietilpība @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz
Bāzes daļas numurs

RS3G

Šis ir ar “RS3GHE3_A/I” saistītie produkti.

RS3G-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

RS3GHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

RS3G-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

RS3J V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

RS3GB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

RS3J-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

RS3J M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

RS3GHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

RS3J R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

RS3J-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

RS3GHE3_A/I

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

RS3G-M3/9AT

RS3GHE3/57T

RS3G-E3/57T

RS3J V7G

RS3GB-13

RS3J-13-F

RS3J M6G

RS3GHE3_A/H

RS3J R7G

RS3J-M3/57T

RS3GB-13-F

RS3G-M3/57T

RS3G-E3/9AT

RS3J-13

RS3GHR7G

RS3J-E3/9AT

RS3G/7T

RS3GHE3/9AT

RS3GHM6G

RS3J-E3/57T

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda