Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RS3JHE3/9AT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
775023RS3JHE3/9AT attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

RS3JHE3/9AT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS3JHE3/9AT
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RS3JHE3/9AT.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.3V @ 2.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    250ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    34pF @ 4V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    RS3J

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS3JHE3/9AT” saistītie produkti.
RS3J-E3/9AT

RS3J-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3J-M3/57T

RS3J-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3JHM6G

RS3JHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3JHE3_A/H

RS3JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3J-M3/9AT

RS3J-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3JHR7G

RS3JHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3J-E3/57T

RS3J-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3JHE3/57T

RS3JHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3J-13-F

RS3J-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3K R7G

RS3K R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3K M6G

RS3K M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3JB-13-F

RS3JB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3JB-13

RS3JB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3K V7G

RS3K V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3J-13

RS3J-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3K-13-F

RS3K-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3K V6G

RS3K V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3K-13

RS3K-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3J V7G

RS3J V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3JHE3_A/I

RS3JHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.