BYG10JHE3_A/H

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

7200+

$0.138

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

BYG10JHE3_A/H
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

BYG10JHE3_A/H.pdf
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.15V @ 1.5A
Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)

600V
Piegādātāja ierīču komplekts

DO-214AC (SMA)
Ātrums

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Reverss atkopšanas laiks (trr)

4µs
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

DO-214AC, SMA
Darba temperatūra - savienojums

-55°C ~ 150°C
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

44 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Diode tips

Avalanche
Detalizēts apraksts

Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1µA @ 600V
Pašreizējais - vidējais labojums (Io)

1.5A
Ietilpība @ Vr, F

-

Šis ir ar “BYG10JHE3_A/H” saistītie produkti.

BYG10K-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10JHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10JHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10K-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10JHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10JHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10JHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10J-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10GHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10JHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10K-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10J/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10J-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10J-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10J-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10JHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10GHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10KHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10K-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10GHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

BYG10JHE3_A/H

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

BYG10K-E3/TR

BYG10JHM3/TR3

BYG10JHE3/TR

BYG10K-M3/TR

BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/H

BYG10JHM3/TR

BYG10J-M3/TR3

BYG10GHM3_A/H

BYG10JHE3_A/I

BYG10K-E3/TR3

BYG10J/TR

BYG10J-M3/TR

BYG10J-E3/TR3

BYG10J-E3/TR

BYG10JHE3/TR3

BYG10GHM3_A/I

BYG10KHE3/TR

BYG10K-M3/TR3

BYG10GHM3/TR3

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda