Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG10J/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
758136BYG10J/TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG10J/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7200+
$0.105
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG10J/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG10J/TR.pdf
    2.BYG10J/TR.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.15V @ 1.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    4µs
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    Q5396740
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    6 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYG10J

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG10J/TR” saistītie produkti.
BYG10GHM3/TR

BYG10GHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3/TR3

BYG10JHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3/TR

BYG10JHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3_A/H

BYG10JHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3_A/I

BYG10JHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10J-M3/TR

BYG10J-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3_A/H

BYG10GHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10J-M3/TR3

BYG10J-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3_A/I

BYG10GHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3_A/I

BYG10GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3/TR

BYG10JHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3_A/H

BYG10GHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10J-E3/TR

BYG10J-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10J-E3/TR3

BYG10J-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3_A/H

BYG10JHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3/TR3

BYG10JHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10K-E3/TR

BYG10K-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3/TR3

BYG10GHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.