Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG10J-M3/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5025679BYG10J-M3/TR attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG10J-M3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
12600+
$0.128
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG10J-M3/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BYG10J-M3/TR.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.15V @ 1.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    600V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    4µs
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 600V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG10J-M3/TR” saistītie produkti.
BYG10JHM3/TR3

BYG10JHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3_A/H

BYG10JHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3_A/I

BYG10GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3_A/H

BYG10JHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3/TR3

BYG10GHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3/TR3

BYG10GHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3_A/I

BYG10GHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3/TR

BYG10JHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10J/TR

BYG10J/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3_A/H

BYG10GHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3_A/I

BYG10JHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3/TR

BYG10GHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3_A/H

BYG10GHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3/TR

BYG10JHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10J-E3/TR3

BYG10J-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3/TR3

BYG10JHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10J-E3/TR

BYG10J-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10J-M3/TR3

BYG10J-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3/TR

BYG10GHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.