Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN3B04N8TA

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2396283

ZXMN3B04N8TA attēls

Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8TA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

500+

$0.721

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

ZXMN3B04N8TA
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

ZXMN3B04N8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

ZXMN3B04N8TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

33 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2480pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

23.1nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

7.2A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “ZXMN3B04N8TA” saistītie produkti.

ZXMN3A04KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B14FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN4A06KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B04N8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A06DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A14FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B01FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A06N8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3G32DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3F31DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN4A06GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A05N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3F30FHTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A06DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.