Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > ZXMN3G32DN8TA

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6177025

ZXMN3G32DN8TA attēls

Diodes Incorporated

ZXMN3G32DN8TA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.98

10+

$0.86

100+

$0.659

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

ZXMN3G32DN8TA
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

ZXMN3G32DN8TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 6A, 10V
Jauda - maks

1.8W
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

1034-ZXMN3G32DN8CT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

26 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

472pF @ 15V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

10.5nC @ 10V
FET tips

2 N-Channel (Dual)
FET iezīme

Logic Level Gate
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

5.5A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “ZXMN3G32DN8TA” saistītie produkti.

ZXMN3A14FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3F30FHTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B04N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GQTC

Apraksts: MOSFETN-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3F31DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B01FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B04N8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN4A06KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3B14FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A07FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08GQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60VSOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN6A08E6QTA

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN4A06GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.