Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN3A04KTC
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6412080ZXMN3A04KTC attēlsDiodes Incorporated

ZXMN3A04KTC

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.24
10+
$2.012
100+
$1.617
500+
$1.329
1000+
$1.101
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ZXMN3A04KTC
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ZXMN3A04KTC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.15W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    ZXMN3A04KTCCT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1890pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    36.8nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 12A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ZXMN3A04KTC” saistītie produkti.
ZXMN3A14FTA

ZXMN3A14FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3B04N8TA

ZXMN3B04N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3B01FTA

ZXMN3B01FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.