Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN3A02N8TA
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5465864ZXMN3A02N8TA attēlsDiodes Incorporated

ZXMN3A02N8TA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ZXMN3A02N8TA
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ZXMN3A02N8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.56W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    ZXMN3A02N8CT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    26.8nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 7.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ZXMN3A02N8TA” saistītie produkti.
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2F30FHQTA

ZXMN2F30FHQTA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.