Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN10B08E6TA

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6271409

ZXMN10B08E6TA attēls

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.318

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

ZXMN10B08E6TA
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

ZXMN10B08E6TA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-26
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 1.6A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.1W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SOT-23-6
Citi vārdi

ZXMN10B08E6TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

20 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

497pF @ 50V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

9.2nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.3V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

100V
Detalizēts apraksts

N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “ZXMN10B08E6TA” saistītie produkti.

ZXMN2069FTA

Apraksts: MOSFET N-CH SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A08GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN2A01E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN2A01FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A11GTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN15A27KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A11GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A11KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN2088DE6TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A09KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A25KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A25GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN2A01FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN20B28KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN2A02N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10B08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A11K

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN2A01E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

ZXMN10A25K

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.