Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN10A11GTC
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6814745ZXMN10A11GTC attēlsDiodes Incorporated

ZXMN10A11GTC

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ZXMN10A11GTC
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ZXMN10A11GTC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-223
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 2.6A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-261-4, TO-261AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    274pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    5.4nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    6V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ZXMN10A11GTC” saistītie produkti.
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A08GTA

ZXMN10A08GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Apraksts: MOSFET N-CH SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.