Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > ZXMN20B28KTC
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3946046ZXMN20B28KTC attēlsDiodes Incorporated

ZXMN20B28KTC

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.317
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ZXMN20B28KTC
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    ZXMN20B28KTC.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    750 mOhm @ 2.75A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.2W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    ZXMN20B28KTCTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    358pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.1nC @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 1.5A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ZXMN20B28KTC” saistītie produkti.
ZXMN2A03E6TC

ZXMN2A03E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A01E6TA

ZXMN2A01E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A02X8TC

ZXMN2A02X8TC

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2088DE6TA

ZXMN2088DE6TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A02N8TA

ZXMN2A02N8TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2069FTA

ZXMN2069FTA

Apraksts: MOSFET N-CH SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A01FTC

ZXMN2A01FTC

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN15A27KTC

ZXMN15A27KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A03E6TA

ZXMN2A03E6TA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A01FTA

ZXMN2A01FTA

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
ZXMN2A01E6TC

ZXMN2A01E6TC

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.