Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMTH8012LK3Q-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6920077DMTH8012LK3Q-13 attēlsDiodes Incorporated

DMTH8012LK3Q-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.35
10+
$1.193
100+
$0.943
500+
$0.731
1000+
$0.577
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH8012LK3Q-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET NCH 80V 50A TO252
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMTH8012LK3Q-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252, (D-Pak)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.6W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    DMTH8012LK3Q-13DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2051pF @ 40V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    46.8nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    80V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 80V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH8012LK3Q-13” saistītie produkti.
DMTX-19V15W-EZ-SYS

DMTX-19V15W-EZ-SYS

Apraksts: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTT-300

DMTT-300

Apraksts: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTT-650

DMTT-650

Apraksts: XFRMR LAMINATED 650VA CHAS MOUNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTT-1000

DMTT-1000

Apraksts: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.