Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMTH6010SK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5809350DMTH6010SK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMTH6010SK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.515
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH6010SK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 16.3A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMTH6010SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.1W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    DMTH6010SK3-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1940pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    36.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    16.3A (Ta), 70A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH6010SK3-13” saistītie produkti.
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LK3-13

DMTH6010LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.