Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMTH6016LSDQ-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1811457DMTH6016LSDQ-13 attēlsDiodes Incorporated

DMTH6016LSDQ-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.35
10+
$1.193
100+
$0.943
500+
$0.731
1000+
$0.577
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH6016LSDQ-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMTH6016LSDQ-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SO
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    19.5 mOhm @ 10A, 10V
  • Jauda - maks
    1.4W, 1.9W
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    DMTH6016LSDQ-13DICT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    28 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    864pF @ 30V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.6A (Ta) 1.4W, 1.9W Surface Mount 8-SO
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Ta)

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH6016LSDQ-13” saistītie produkti.
DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTT-1000

DMTT-1000

Apraksts: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPD-13

DMTH6010LPD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LPS-13

DMTH6016LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPS-13

DMTH8012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTT-300

DMTT-300

Apraksts: XFRMR LAMINATED 300VA CHAS MOUNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMTX-19V15W-EZ-SYS

DMTX-19V15W-EZ-SYS

Apraksts: DUAL MODE TRANSMITTER MODULE 19V

Ražotāji: Semtech
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SK3-13

DMTH6010SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Apraksts: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTT-650

DMTT-650

Apraksts: XFRMR LAMINATED 650VA CHAS MOUNT

Ražotāji: Bel
Noliktavā
RFQ
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Apraksts: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.