Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > DMN67D8LDW-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3743489DMN67D8LDW-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
10000+
$0.073
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN67D8LDW-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN67D8LDW-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-363
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 500mA, 10V
  • Jauda - maks
    320mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    24 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    22pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.82nC @ 10V
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    230mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN67D8LDW-13” saistītie produkti.
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN90H8D5HCT

DMN90H8D5HCT

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.