Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN66D0LT-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6542196DMN66D0LT-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN66D0LT-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
1000+
$0.201
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN66D0LT-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN66D0LT-7.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-523
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 115mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    200mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    SOT-523
  • Citi vārdi
    DMN66D0LTDIDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    23pF @ 25V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    115mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN66D0LT-7” saistītie produkti.
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8L-7

DMN67D8L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.