Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN90H8D5HCT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1657541

DMN90H8D5HCT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.37
50+
$1.095
100+
$0.958
500+
$0.743
1000+
$0.587
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN90H8D5HCT
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMN90H8D5HCT.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7 Ohm @ 1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    DMN90H8D5HCT-ND
    DMN90H8D5HCTDI
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    Not Applicable
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    470pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    7.9nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    900V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 900V 2.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN90H8D5HCT” saistītie produkti.
DMNF1-285-C

DMNF1-285-C

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LW-13

DMN67D8LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF1-288FIB-3K

DMNF1-288FIB-3K

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN95H8D5HCT

DMN95H8D5HCT

Apraksts: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LDW-13

DMN67D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8LDW-7

DMN67D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF1-288-C

DMNF1-288-C

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMN90H2D2HCTI

DMN90H2D2HCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF1-285FIB-3K

DMNF1-285FIB-3K

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMNF1-285FIB-C

DMNF1-285FIB-C

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMN95H8D5HCTI

DMN95H8D5HCTI

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFGQ-7

DMN7022LFGQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMNF1-288FIB-C

DMNF1-288FIB-C

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFG-7

DMN7022LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFGQ-13

DMN7022LFGQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN7022LFG-13

DMN7022LFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN95H2D2HCTI

DMN95H2D2HCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.