Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN65D8LFB-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
242702DMN65D8LFB-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN65D8LFB-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.062
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN65D8LFB-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN65D8LFB-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    X1-DFN1006-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    430mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-UFDFN
  • Citi vārdi
    DMN65D8LFB-7-ND
    DMN65D8LFB-7DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    25pF @ 25V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    260mA (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN65D8LFB-7” saistītie produkti.
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D8L-13

DMN67D8L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D7L-13

DMN67D7L-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LW-7

DMN66D0LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LT-7

DMN66D0LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D8LW-7

DMN63D8LW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN67D7L-7

DMN67D7L-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.