Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN62D1LFD-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1568160DMN62D1LFD-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN62D1LFD-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.087
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN62D1LFD-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN62D1LFD-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    X1-DFN1212-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 100mA, 4V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    500mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-UDFN
  • Citi vārdi
    DMN62D1LFD-7DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    36pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.55nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    400mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN62D1LFD-7” saistītie produkti.
DMN63D0LT-7

DMN63D0LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1L-7

DMN63D1L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LDW-13

DMN63D1LDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1L-13

DMN63D1L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UT-7

DMN62D0UT-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UT-13

DMN62D0UT-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.38A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-7

DMN62D0UDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1LFB-7B

DMN62D1LFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LDW-7

DMN63D1LDW-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LT-13

DMN63D1LT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13

Apraksts: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN62D1SFB-7B

DMN62D1SFB-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN63D1LT-7

DMN63D1LT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.