Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2600UFB-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
342221DMN2600UFB-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN2600UFB-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.42
10+
$0.385
100+
$0.216
500+
$0.115
1000+
$0.079
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2600UFB-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2600UFB-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    540mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    3-UFDFN
  • Citi vārdi
    DMN2600UFB-7DIDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    40 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    70.13pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.85nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    25V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 25V 1.3A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2600UFB-7” saistītie produkti.
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2501UFB4-7

DMN2501UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.