Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN3005LK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
961486DMN3005LK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMN3005LK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.349
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN3005LK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMN3005LK3-13.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.68W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    1034-DMN3005LK3-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4342pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    46.9nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 14.5A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    14.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN3005LK3-13” saistītie produkti.
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Apraksts: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Apraksts: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Apraksts: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN3009LFV-13

DMN3009LFV-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.