Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN2501UFB4-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3988285DMN2501UFB4-7 attēlsDiodes Incorporated

DMN2501UFB4-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.114
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMN2501UFB4-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMN2501UFB4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    X2-DFN1006-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    500mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-XFDFN
  • Citi vārdi
    DMN2501UFB4-7DI
    DMN2501UFB4-7DI-ND
    DMN2501UFB4-7DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    82pF @ 16V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMN2501UFB4-7” saistītie produkti.
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UV-7

DMN2400UV-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2500UFB4-7

DMN2500UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UDJQ-7

DMN2990UDJQ-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN24H3D5L-13

DMN24H3D5L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFD-7

DMN2400UFD-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UDJ-7

DMN2990UDJ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 240V 0.48A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFA-7B

DMN2990UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.51A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFB-7

DMN2400UFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2600UFB-7

DMN2600UFB-7

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UDJ-7

DMN26D0UDJ-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN25D0UFA-7B

DMN25D0UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFDQ-7

DMN2400UFDQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2400UFDQ-13

DMN2400UFDQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 20V X1-DFN1212-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.6A X2DFN-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.