Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN1008UFDF-13

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5721450

DMN1008UFDF-13 attēls

Diodes Incorporated

DMN1008UFDF-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

10000+

$0.13

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN1008UFDF-13
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH30V SC-59
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN1008UFDF-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

U-DFN2020-6 (Type F)
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 5A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

700mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

6-UDFN Exposed Pad
Citi vārdi

DMN1008UFDF-13-ND
DMN1008UFDF-13DITR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

995pF @ 6V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

23.4nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

12V
Detalizēts apraksts

N-Channel 12V 12.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

12.2A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN1008UFDF-13” saistītie produkti.

DMN1016UCB6-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1033UCB4-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019USN-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1032UCB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFV-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1029UFDB-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019USN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1029UFDB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN100-7-F

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1003UCA6-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UVT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFV-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1006UCA6-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UFDE-7

Apraksts: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1008UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH30V SC-59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.