Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN1032UCB4-7

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3711349

DMN1032UCB4-7 attēls

Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.235

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN1032UCB4-7
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN1032UCB4-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

U-WLB1010-4
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 1A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

900mW (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

4-UFBGA, WLBGA
Citi vārdi

DMN1032UCB4-7DITR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

21 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

450pF @ 6V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

12V
Detalizēts apraksts

N-Channel 12V 4.8A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-WLB1010-4
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

4.8A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN1032UCB4-7” saistītie produkti.

DMN1019USN-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H120SE-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019USN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1029UFDB-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UFDE-7

Apraksts: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UVT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H099SFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1016UCB6-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1008UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH30V SC-59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1029UFDB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1033UCB4-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1045UFR4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.