Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMN1004UFV-7

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

1155713

DMN1004UFV-7 attēls

Diodes Incorporated

DMN1004UFV-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.69

10+

$0.58

100+

$0.435

500+

$0.319

1000+

$0.247

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMN1004UFV-7
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

DMN1004UFV-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

PowerDI3333-8
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.9W (Ta)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

8-PowerVDFN
Citi vārdi

DMN1004UFV-7DICT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

20 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2385pF @ 6V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

47nC @ 8V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

2.5V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

12V
Detalizēts apraksts

N-Channel 12V 70A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “DMN1004UFV-7” saistītie produkti.

DMN1019UVT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1006UCA6-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019USN-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1008UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH30V SC-59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1003UCA6-7

Apraksts: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN100-7-F

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFDF-13

DMN1004UFDF-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UVT-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019UFDE-7

Apraksts: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1002UCA6-7

DMN1002UCA6-7

Apraksts: MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFV-13

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1029UFDB-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1032UCB4-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1008UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH30V SC-59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1033UCB4-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1029UFDB-7

Apraksts: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1004UFDF-7

DMN1004UFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1019USN-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

DMN1016UCB6-7

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.