Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMG4435SSS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1883965DMG4435SSS-13 attēlsDiodes Incorporated

DMG4435SSS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.232
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMG4435SSS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMG4435SSS-13.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SOP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 11A, 20V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    DMG4435SSS-13DITR
    DMG4435SSS13
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    32 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1614pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    35.4nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 20V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 7.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMG4435SSS-13” saistītie produkti.
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Apraksts: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Apraksts: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4468LFG

DMG4468LFG

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Apraksts: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Apraksts: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.