Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMG3415UFY4-7
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3406799DMG3415UFY4-7 attēlsDiodes Incorporated

DMG3415UFY4-7

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMG3415UFY4-7
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMG3415UFY4-7.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DFN2015H4-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    400mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    3-XFDFN
  • Citi vārdi
    DMG3415UFY4-7DITR
    DMG3415UFY47
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    281.9pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    16V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 16V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMG3415UFY4-7” saistītie produkti.
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3415U-7

DMG3415U-7

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Apraksts: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Apraksts: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.