Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMG4468LFG
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3632855DMG4468LFG attēlsDiodes Incorporated

DMG4468LFG

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.41
10+
$0.336
100+
$0.229
500+
$0.172
1000+
$0.129
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMG4468LFG
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    DMG4468LFG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    U-DFN3030-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    990mW (Ta)
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerUDFN
  • Citi vārdi
    1034-DMG4468LFGDIDKR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    867pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    18.85nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.62A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMG4468LFG” saistītie produkti.
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4435SSS-13

DMG4435SSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Apraksts: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Apraksts: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4710SSS-13

DMG4710SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4468LK3-13

DMG4468LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4468LFG-7

DMG4468LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.