Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI3460BDV-T1-GE3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5256462

SI3460BDV-T1-GE3 attēls

Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.334

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI3460BDV-T1-GE3
Ražotājs / zīmols

Vishay / Siliconix
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI3460BDV-T1-GE3.pdf
Spriegums - pārbaude

860pF @ 10V
Spriegums - sadalījums

6-TSOP
Vgs (th) (Max) @ Id

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Sērija

TrenchFET®
RoHS statuss

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8A (Tc)
Polarizācija

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

15 Weeks
Ražotāja daļas numurs

SI3460BDV-T1-GE3
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

24nC @ 8V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

1V @ 250µA
FET iezīme

N-Channel
Paplašināts apraksts

N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Drain to avota spriegumam (Vdss)

-
Apraksts

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

20V
Kapacitātes koeficients

2W (Ta), 3.5W (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI3460BDV-T1-GE3” saistītie produkti.

SI3459BDV-T1-GE3

SI3459BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI3460DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI3460-E02-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Apraksts: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3460-E03-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3460-EVB

Apraksts: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI3462-E01-GM

Apraksts: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3461-E01-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3461-E02-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3461-KIT

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI3461

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI3462-E01-GMR

Apraksts: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3460-E02-GMR

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3461-E01-GMR

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3460-E03-GMR

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3462-EVB

Apraksts: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)

Noliktavā

SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI3459DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.