Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI3460DV-T1-GE3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
700114SI3460DV-T1-GE3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3460DV-T1-GE3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SI3460DV-T1-GE3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SI3460DV-T1-GE3.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    450mV @ 1mA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.1W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    20nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.1A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SI3460DV-T1-GE3” saistītie produkti.
SI3461-E02-GM

SI3461-E02-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3464DV-T1-GE3

SI3464DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3459SMART24-KIT

SI3459SMART24-KIT

Apraksts: EVAL KIT SI3459/3483 POE CTLR

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3460-E03-GM

SI3460-E03-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3461-E01-GMR

SI3461-E01-GMR

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3462-E01-GM

SI3462-E01-GM

Apraksts: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3461-E01-GM

SI3461-E01-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3462-EVB

SI3462-EVB

Apraksts: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3460-E02-GMR

SI3460-E02-GMR

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3460-E02-GM

SI3460-E02-GM

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3460-E03-GMR

SI3460-E03-GMR

Apraksts: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3465DV-T1-E3

SI3465DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3465DV-T1-GE3

SI3465DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3461-KIT

SI3461-KIT

Apraksts: BOARD EVAL FOR SI3461

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3460BDV-T1-GE3

SI3460BDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Ražotāji: Vishay Siliconix
Noliktavā
RFQ
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI3460-EVB

SI3460-EVB

Apraksts: BOARD EVAL POE FOR SI3460

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
SI3462-E01-GMR

SI3462-E01-GMR

Apraksts: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Ražotāji: Energy Micro (Silicon Labs)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.