Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > GL41B-E3/96
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3806685GL41B-E3/96 attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

GL41B-E3/96

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GL41B-E3/96
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.GL41B-E3/96.pdf
    2.GL41B-E3/96.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-213AB
  • Sērija
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS statuss
    Cut Tape (CT)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Citi vārdi
    GL41B-E3/96GICT
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    GL41B-E3/96
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diode konfigurācija
    10µA @ 100V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    100V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GL41B-E3/96” saistītie produkti.
GL41D/54

GL41D/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41A/54

GL41A/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL4100E0000F

GL4100E0000F

Apraksts: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41G/54

GL41G/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL4100

GL4100

Apraksts: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41B/54

GL41B/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41A-E3/96

GL41A-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.