Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Optoelektronika > Infrasarkanais, UV, redzamais starojums > GL4100E0000F
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1690243GL4100E0000F attēlsSharp Microelectronics

GL4100E0000F

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GL4100E0000F
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Viļņa garums
    950nm
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (tips)
    1.2V
  • Skata leņķis
    180°
  • Tips
    Infrared (IR)
  • Sērija
    -
  • Radiācijas intensitāte (Ie) Min @ Ja
    -
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    Radial
  • Citi vārdi
    425-1938-5
  • Orientācija
    Side View
  • Darbības temperatūra
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial
  • Strāva - DC priekšu (ja) (maksimālais)
    50mA
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41G/54

GL41G/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41B-E3/96

GL41B-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41A-E3/96

GL41A-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL4100

GL4100

Apraksts: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41A/54

GL41A/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41D/54

GL41D/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41B/54

GL41B/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu