Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG10MHE3/TR

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5326046

BYG10MHE3/TR attēls

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

7200+

$0.132

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

BYG10MHE3/TR
Ražotājs / zīmols

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.BYG10MHE3/TR.pdf
2.BYG10MHE3/TR.pdf
Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)

Avalanche
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.5A
Spriegums - sadalījums

DO-214AC (SMA)
Sērija

-
RoHS statuss

Tape & Reel (TR)
Reverss atkopšanas laiks (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Pretestība @ Ja F,

-
Polarizācija

DO-214AC, SMA
Darba temperatūra - savienojums

4µs
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

14 Weeks
Ražotāja daļas numurs

BYG10MHE3/TR
Paplašināts apraksts

Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Diode konfigurācija

1µA @ 1000V
Apraksts

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1.15V @ 1.5A
Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)

1000V (1kV)
Ietilpība @ Vr, F

-55°C ~ 150°C

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “BYG10MHE3/TR” saistītie produkti.

BYG10MHE3_A/I

BYG10MHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10MHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

BYG10M-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10M-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10KHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

BYG10M-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10MHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10MHM3_A/H

BYG10MHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10KHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

BYG10MHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

BYG10Y-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10MHM3_A/I

BYG10MHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10M-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10Y-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10Y-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.