Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG10MHE3_A/I
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5544633

BYG10MHE3_A/I

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7500+
$0.143
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG10MHE3_A/I
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BYG10MHE3_A/I.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.15V @ 1.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1000V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    4µs
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG10MHE3_A/I” saistītie produkti.
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10Y-M3/TR

BYG10Y-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10MHM3_A/I

BYG10MHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10Y-E3/TR3

BYG10Y-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10MHE3/TR

BYG10MHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10Y-E3/TR

BYG10Y-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10MHE3/TR3

BYG10MHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10MHM3_A/H

BYG10MHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10Y-M3/TR3

BYG10Y-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10YHE3_A/H

BYG10YHE3_A/H

Apraksts: 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10M-M3/TR

BYG10M-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10MHM3/TR3

BYG10MHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10YHE3_A/I

BYG10YHE3_A/I

Apraksts: 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10MHM3/TR

BYG10MHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10M-M3/TR3

BYG10M-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.