2064205

BYG10DHE3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

7200+

$0.132

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

BYG10DHE3/TR
Ražotājs / zīmols

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.BYG10DHE3/TR.pdf
2.BYG10DHE3/TR.pdf
Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)

Avalanche
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.5A
Spriegums - sadalījums

DO-214AC (SMA)
Sērija

-
RoHS statuss

Tape & Reel (TR)
Reverss atkopšanas laiks (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Pretestība @ Ja F,

-
Polarizācija

DO-214AC, SMA
Darba temperatūra - savienojums

4µs
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

14 Weeks
Ražotāja daļas numurs

BYG10DHE3/TR
Paplašināts apraksts

Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Diode konfigurācija

1µA @ 200V
Apraksts

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1.15V @ 1.5A
Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)

200V
Ietilpība @ Vr, F

-55°C ~ 150°C

Šis ir ar “BYG10DHE3/TR” saistītie produkti.

BYG10DHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10GHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10DHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10G-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10DHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10GHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10DHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10D-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10DHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10G-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10GHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10G-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10D-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10D-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10DHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10DHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10D-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG10GHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG10G-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

BYG10DHE3/TR

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

BYG10DHE3/TR3

BYG10GHE3_A/H

BYG10DHM3/TR3

BYG10G-M3/TR

BYG10DHM3_A/I

BYG10GHE3/TR3

BYG10DHE3_A/H

BYG10D-E3/TR

BYG10DHM3/TR

BYG10G-E3/TR3

BYG10GHE3/TR

BYG10GHE3_A/I

BYG10G-M3/TR3

BYG10D-M3/TR3

BYG10D-E3/TR3

BYG10DHM3_A/H

BYG10DHE3_A/I

BYG10D-M3/TR

BYG10GHM3/TR

BYG10G-E3/TR

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda