Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG10D-E3/TR3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4792513BYG10D-E3/TR3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG10D-E3/TR3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.39
10+
$0.317
100+
$0.216
500+
$0.162
1000+
$0.121
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG10D-E3/TR3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG10D-E3/TR3.pdf
    2.BYG10D-E3/TR3.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.15V @ 1.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    4µs
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG10D-E3/TR3GICT
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 200V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYG10D

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG10D-E3/TR3” saistītie produkti.
BYG10G-E3/TR3

BYG10G-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10DHE3/TR3

BYG10DHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10G-M3/TR3

BYG10G-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3/TR3

BYG10GHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10DHM3/TR

BYG10DHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10D-M3/TR

BYG10D-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3_A/I

BYG10GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10G-M3/TR

BYG10G-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10D-E3/TR

BYG10D-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10DHE3_A/H

BYG10DHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3/TR

BYG10GHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10DHE3_A/I

BYG10DHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10GHM3/TR

BYG10GHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10DHM3_A/I

BYG10DHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10DHM3_A/H

BYG10DHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10DHM3/TR3

BYG10DHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10D-M3/TR3

BYG10D-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10G-E3/TR

BYG10G-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10DHE3/TR

BYG10DHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10GHE3_A/H

BYG10GHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.