Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TK31E60W,S1VX

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

300677

TK31E60W,S1VX attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60W,S1VX

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

50+

$7.754

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

TK31E60W,S1VX
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

TK31E60W,S1VX.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-220
Sērija

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

88 mOhm @ 15.4A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

230W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-220-3
Citi vārdi

TK31E60W,S1VX(S
TK31E60WS1VX
Darbības temperatūra

150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

3000pF @ 300V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

86nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

Super Junction
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

600V
Detalizēts apraksts

N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

30.8A (Ta)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “TK31E60W,S1VX” saistītie produkti.

TK32A12N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK34A10N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31A60W,S4VX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31N60W5,S1VF

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK34E10N1,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31V60X,LQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK30A06N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31J60W5,S1VQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31N60W,S1VF

Apraksts: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31J60W,S1VQ

Apraksts: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK30E06N1,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31E60X,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK32E12N1,S1X

Apraksts: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3434

Apraksts: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Ražotāji: 3M

Noliktavā

TK3

TK3

Apraksts: TERMINAL KIT P184 10EA T49

Ražotāji: Vector Electronics & Technology, Inc.

Noliktavā

TK31N60X,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31V60W5,LVQ

Apraksts: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31V60W,LVQ

Apraksts: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.