Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TK32E12N1,S1X

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

6802772

TK32E12N1,S1X attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

TK32E12N1,S1X

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$1.62

50+

$1.298

100+

$1.136

500+

$0.881

1000+

$0.695

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

TK32E12N1,S1X
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

TK32E12N1,S1X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-220
Sērija

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.8 mOhm @ 16A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

98W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-220-3
Citi vārdi

TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
Darbības temperatūra

150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

2000pF @ 60V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

34nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

120V
Detalizēts apraksts

N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “TK32E12N1,S1X” saistītie produkti.

TK34A10N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK34E10N1,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31V60W5,LVQ

Apraksts: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35N65W,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31V60W,LVQ

Apraksts: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31E60X,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31N60W5,S1VF

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31N60W,S1VF

Apraksts: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35A08N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK32A12N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31V60X,LQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35A65W5,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31J60W5,S1VQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3434

Apraksts: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Ražotāji: 3M

Noliktavā

TK31J60W,S1VQ

Apraksts: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35E08N1,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35A65W,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK31N60X,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.