Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN1964FE(TE85L,F)

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5132190

RN1964FE(TE85L,F) attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1964FE(TE85L,F)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

4000+

$0.07

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN1964FE(TE85L,F)
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN1964FE(TE85L,F).pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

ES6
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

47 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

47 kOhms
Jauda - maks

100mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SOT-563, SOT-666
Citi vārdi

RN1964FE(TE85LF)TR
RN1964FETE85LF
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

250MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

100nA (ICBO)
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN1964FE(TE85L,F)” saistītie produkti.

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1964TE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1970FE(TE85L,F)

RN1970FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1969FE(TE85L,F)

RN1969FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1911FETE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1910FE,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1962TE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1968(TE85L,F)

RN1968(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.