Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN1910FE,LF(CT

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4831731

RN1910FE,LF(CT attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE,LF(CT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

4000+

$0.048

8000+

$0.042

12000+

$0.036

28000+

$0.034

100000+

$0.028

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN1910FE,LF(CT
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN1910FE,LF(CT.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

ES6
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

-
Rezistors - bāze (R1)

4.7 kOhms
Jauda - maks

100mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SOT-563, SOT-666
Citi vārdi

RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

250MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

100nA (ICBO)
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN1910FE,LF(CT” saistītie produkti.

RN1907,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1906FE,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1907,LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1964TE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1909FE(TE85L,F)

RN1909FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1907FE,LF(CB

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1962TE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1910FE(T5L,F,T)

RN1910FE(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1910,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1909(T5L,F,T)

RN1909(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1911FETE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1911(T5L,F,T)

RN1911(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.