Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > S12KC M6G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
324617S12KC M6G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

S12KC M6G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.201
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    S12KC M6G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    S12KC M6G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.1V @ 12A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    800V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Citi vārdi
    S12KC M6G-ND
    S12KCM6G
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 800V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 800V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    12A
  • Ietilpība @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “S12KC M6G” saistītie produkti.
S12MC M6G

S12MC M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12J

S12J

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JR

S12JR

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12K

S12K

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12M

S12M

Apraksts: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12MC V6G

S12MC V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12MC R7G

S12MC R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12GR

S12GR

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12KR

S12KR

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.