Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > S12J
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6239371

S12J

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$4.679
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    S12J
  • Ražotājs / zīmols
    GeneSiC Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.S12J.pdf
    2.S12J.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    12A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-4
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Citi vārdi
    S12JGN
  • Montāžas tips
    Chassis, Stud Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    S12J
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diode konfigurācija
    10µA @ 50V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “S12J” saistītie produkti.
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12DR

S12DR

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12G

S12G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12K

S12K

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12GR

S12GR

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JR

S12JR

Apraksts: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12D

S12D

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.