Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RS3DHM6G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3548127RS3DHM6G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

RS3DHM6G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.114
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS3DHM6G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RS3DHM6G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.3V @ 3A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AB (SMC)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    150ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AB, SMC
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    40 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    3A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS3DHM6G” saistītie produkti.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3D-E3/57T

RS3D-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3E095BNGZETB

RS3E095BNGZETB

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3D-M3/57T

RS3D-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3D-E3/9AT

RS3D-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.