Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > RS3E095BNGZETB
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4447776

RS3E095BNGZETB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS3E095BNGZETB
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SOP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2W (Tc)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Citi vārdi
    RS3E095BNGZETBCT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS3E095BNGZETB” saistītie produkti.
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.