Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG21MHR3G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6112373BYG21MHR3G attēlsTSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21MHR3G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1800+
$0.101
3600+
$0.091
5400+
$0.086
12600+
$0.079
45000+
$0.074
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG21MHR3G
  • Ražotājs / zīmols
    Taiwan Semiconductor
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BYG21MHR3G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.6V @ 1.5A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1000V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    120ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG21MHR3GTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    1.5A
  • Ietilpība @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG21MHR3G” saistītie produkti.
BYG22AHM3/TR

BYG22AHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3_A/I

BYG22AHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3/TR

BYG22AHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3/TR3

BYG22AHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3/TR

BYG21MHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3_A/I

BYG21MHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22A-E3/TR

BYG22A-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3/TR3

BYG21MHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3_A/H

BYG22AHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22A-M3/TR3

BYG22A-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22A-E3/TR3

BYG22A-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22A-M3/TR

BYG22A-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21M/54

BYG21M/54

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3/TR3

BYG22AHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3_A/H

BYG21MHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.