Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG22A-E3/TR3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6259264BYG22A-E3/TR3 attēlsElectro-Films (EFI) / Vishay

BYG22A-E3/TR3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7500+
$0.159
15000+
$0.148
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG22A-E3/TR3
  • Ražotājs / zīmols
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG22A-E3/TR3.pdf
    2.BYG22A-E3/TR3.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.1V @ 2A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    50V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-214AC (SMA)
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    DO-214AC, SMA
  • Citi vārdi
    BYG22A-E3/TR3-ND
    BYG22A-E3/TR3GITR
    BYG22AE3TR3
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    44 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Avalanche
  • Detalizēts apraksts
    Diode Avalanche 50V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1µA @ 50V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    2A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYG22A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG22A-E3/TR3” saistītie produkti.
BYG22AHM3_A/H

BYG22AHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3/TR

BYG21MHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3/TR3

BYG21MHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3/TR3

BYG22AHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22A-E3/TR

BYG22A-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3_A/I

BYG21MHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3_A/I

BYG22AHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3/TR

BYG22AHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3_A/H

BYG22AHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHR3G

BYG21MHR3G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3/TR

BYG22AHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG22A-M3/TR

BYG22A-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHM3/TR3

BYG22AHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG21MHM3_A/H

BYG21MHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22A-M3/TR3

BYG22A-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG22AHE3_A/I

BYG22AHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.