Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > R6031222PSYA
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4927576

R6031222PSYA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
30+
$92.703
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6031222PSYA
  • Ražotājs / zīmols
    Powerex, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    R6031222PSYA.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    2.75V @ 800A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    1200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DO-205AB, DO-9
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    500ns
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Darba temperatūra - savienojums
    -45°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Chassis, Stud Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    12 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 1200V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    50mA @ 1200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    220A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6031222PSYA” saistītie produkti.
R6030MNX

R6030MNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Apraksts: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R60400-1STR

R60400-1STR

Apraksts: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.