Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > R6030KNZC8
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
222817R6030KNZC8 attēlsLAPIS Semiconductor

R6030KNZC8

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$4.83
10+
$4.313
100+
$3.536
500+
$2.864
1000+
$2.415
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    R6030KNZC8
  • Ražotājs / zīmols
    LAPIS Technology
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    R6030KNZC8.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3PF
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    86W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Citi vārdi
    R6030KNZC8TR
    R6030KNZC8TR-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    15 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2350pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 30A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-3PF
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “R6030KNZC8” saistītie produkti.
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030KNX

R6030KNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Ražotāji: Powerex, Inc.
Noliktavā
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.